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Tecnología

SK hynix invierte US$38.300 millones en fábricas de memoria para inteligencia artificial

SK hynix aprobó inversión de aproximadamente 54,3 billones de wones, equivalente a US$38.300 millones, para construir dos nuevas fábricas de memoria en Corea del Sur, en respuesta al crecimiento sostenido de demanda impulsado por inteligencia artificial, según anunció el viernes.

A
Resumen IA — Tres claves
  • SK hynix invierte 54,3 billones de wones en fábricas Y2 en Yongin para DRAM y M17 en Cheongju para NAND
  • Inversión forma parte de plan de 600 billones de wones en Clúster Semiconductores Yongin más 100 billones adicionales en Cheongju
  • Fábrica Y2 construirá con superficie de 1,13 millones metros cuadrados, iniciará julio 2027, abrirá primera sala limpia junio 2029
Fotografía referencial · Ahora

Del monto total, 35,2 billones de wones se destinarán a la fábrica Y2 en Yongin, orientada a producción de DRAM, y 19,1 billones de wones a la fábrica M17 en Cheongju, enfocada en NAND. La decisión responde a ejecución del plan de inversión de mediano y largo plazo que SK hynix anunció en junio de 2026. La compañía construye actualmente su primera fábrica en Yongin (Y1), cuya primera sala limpia está proyectada para febrero de 2027.

Según firma de investigación Omdia, la demanda de DRAM y NAND mantendría tasa de crecimiento anual compuesta de 19 por ciento entre 2025 y 2030. SK hynix señaló que no interpreta este crecimiento como superciclo temporal, sino como transformación estructural en que la memoria deja de ser simple componente para convertirse en infraestructura clave que determina desempeño de la IA.

La compañía indicó que en era de IA, competitividad tecnológica por sí sola no basta y que capacidad de suministrar volumen requerido en momento exacto en que clientes lo necesitan constituye ventaja competitiva definitiva. Y2 será segunda de cuatro fábricas planificadas para Clúster Semiconductores Yongin y funcionará como base de producción de DRAM con superficie total de 1,13 millones de metros cuadrados, con construcción iniciando julio próximo y meta de abrir primera sala limpia junio 2029 para producir memoria de ancho de banda alto y otros productos DRAM de próxima generación.

Este artículo fue redactado con asistencia de IA a partir de fuentes públicas y está sujeto a revisión editorial de Ahora.

Fuentes

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